三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。据悉，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨了 17%，但面向闪存盘等便携存储设备的 128Gb（16Gx8）MLC 通用闪存的价格却按兵不动。

这主要是因为四月初的台湾地区地震影响了美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片的需求并未真正复苏，下游企业仍持有相当数量的库存。

另一方面，国际地缘政治局势目前处于不稳定状态。近期中东地区局势紧张，美国大选年也对全球贸易带来额外的不稳定因素，两重影响交织下通用存储芯片需求的可见度已然降低。

此外，AI 热潮下 HBM 内存需求旺盛，而 HBM 的晶圆消耗量是通用 DRAM 的 2~3 倍。在三星电子、SK 海力士积极扩产 HBM 的背景下，通用 DRAM 的晶圆投片量势必得到抑制。

今年下半年将迎来苹果 iPhone 16 系列、三星 Galaxy Z 系列等重磅智能手机的发布，报道预测这波新机潮有望成为原厂增产标准存储芯片的契机。

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