尽管近期促销期间大多数终端产品销售平平，但在三星、SK海力士和美光三大原厂大幅减产和控制产量的情况下，存储芯片现货价格仍然呈上涨趋势。其中，由于亏损情况更为严重，NAND存储芯片的涨幅更加明显。

据悉，存储芯片大厂实施减产保价策略的效果十分显著，Q4合约价报价优于市场预期。其中，DDR5存储芯片的上涨幅度为15%至20%，DDR4存储芯片的上涨幅度为10%至15%，DDR3存储芯片的上涨幅度为10%，而原本预估的上涨幅度仅为5%至10%。同时，NAND存储芯片的平均涨幅至少为20%至25%，涨幅明显更高。

另外，三星对DRAM正常报价，但在NAND部分则暂停报价，同时也不出货，最新报价仍待观察。

依据InSpectrum最新报价显示，在DRAM现货报价方面，4Gb和8GbDDR4近一周报价持平，近一月报价分别上涨3.03％和上涨1.97％。

在NANDFlash现货价方面，256Gb和512GbTLCFlash周报价，分别为持平和上涨4.12％，月报价分别涨15.25％和上涨27.78％。

在合约价方面，集邦预估，第四季DRAM报价季增3～8％，优于第三季的0～5％跌幅；第四季NAND报价季增8～13％，也远优于第三季的5～10％跌幅。

存储模组厂商透露，目前原厂对四季度Flash（闪存）供应主打“拖延战术”，原先（模组厂）曾在9月试图敲定数百万颗订单，但原厂迟迟不愿放货，就算愿意给货，数量及价格都无法达到满意的目标。虽然终端市场需求已进入淡季，但Flash现货市场行情却处于上游热、下游冷的特殊状态，加速Flash晶圆各产品全面调涨。尽管短期通路市场库存积压，NANDFlash晶圆涨势不减反增，主流512Gb现货价单月调涨约2成，站上2.6美元。

据称，三星在第四季DRAM减产幅度达30％，SK海力士及美光减产幅度达20％，原厂对NAND的减产幅度更高，预计三大供应商减产将持续至2024年中，且资本支出和产出，将聚焦于利润较佳产品，如高频宽记忆体（HBM）和DDR5。

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