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三星暂停NAND闪存出货 Q4存储芯片合约价超预期
2023-11-30

尽管近期促销期间大多数终端产品销售平平,但在三星、SK海力士和美光三大原厂大幅减产和控制产量的情况下,存储芯片现货价格仍然呈上涨趋势。其中,由于亏损情况更为严重,NAND存储芯片的涨幅更加明显。

据悉,存储芯片大厂实施减产保价策略的效果十分显著,Q4合约价报价优于市场预期。其中,DDR5存储芯片的上涨幅度为15%至20%,DDR4存储芯片的上涨幅度为10%至15%,DDR3存储芯片的上涨幅度为10%,而原本预估的上涨幅度仅为5%至10%。同时,NAND存储芯片的平均涨幅至少为20%至25%,涨幅明显更高。

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另外,三星对DRAM正常报价,但在NAND部分则暂停报价,同时也不出货,最新报价仍待观察。

依据InSpectrum最新报价显示,在DRAM现货报价方面,4Gb和8GbDDR4近一周报价持平,近一月报价分别上涨3.03%和上涨1.97%。

在NANDFlash现货价方面,256Gb和512GbTLCFlash周报价,分别为持平和上涨4.12%,月报价分别涨15.25%和上涨27.78%。

在合约价方面,集邦预估,第四季DRAM报价季增3~8%,优于第三季的0~5%跌幅;第四季NAND报价季增8~13%,也远优于第三季的5~10%跌幅。

存储模组厂商透露,目前原厂对四季度Flash(闪存)供应主打“拖延战术”,原先(模组厂)曾在9月试图敲定数百万颗订单,但原厂迟迟不愿放货,就算愿意给货,数量及价格都无法达到满意的目标。虽然终端市场需求已进入淡季,但Flash现货市场行情却处于上游热、下游冷的特殊状态,加速Flash晶圆各产品全面调涨。尽管短期通路市场库存积压,NANDFlash晶圆涨势不减反增,主流512Gb现货价单月调涨约2成,站上2.6美元。

据称,三星在第四季DRAM减产幅度达30%,SK海力士及美光减产幅度达20%,原厂对NAND的减产幅度更高,预计三大供应商减产将持续至2024年中,且资本支出和产出,将聚焦于利润较佳产品,如高频宽记忆体(HBM)和DDR5。

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