Hi,欢迎
86-755-88844016 6*12小时在线电话
瑞萨电子联合美蓓亚三美研发角度传感器步进电机控制方案
2023-09-13

全球领先的半导体解决方案供应商瑞萨电子株式会社与全球领先的步进电机供应商美蓓亚三美株式会社宣布,联合开发基于旋转变压器(角度传感器)的步进电机和电机控制解决方案,并面向机器人、办公自动化(OA)设备,以及医疗/护理设备进行了优化。瑞萨电子与美蓓亚三美携手开发的基于旋转变压器传感器的步进电机和电机控制解决方案,可满足电动机更高精度控制、小型化以及应对环境影响更强抵抗力的需求。

未标题-1

美蓓亚三美在车用旋转变压器传感器领域拥有良好的市场业绩,并首次开发了面向步进电机的新型旋转变压器,用于机器人、办公自动化设备和医疗/护理设备等消费及工业设备应用。作为全球32位微控制器(MCU)市场的领导者(注2),瑞萨开发了一款支持美蓓亚三美新型步进电机的全新旋变数字转换器(RDC),以及可通过32位RX MCU实现RDC控制的驱动软件。瑞萨还带来基于旋转变压器的步进电机控制套件,其中提供开发工具,包括美蓓亚三美带有旋转变压器的步进电动机和带有RDC的评估板,从而使用户能够快速启动应用程序开发。

 

美蓓亚三美技术官铃木克敏表示:“我们非常高兴能够与瑞萨合作,提供卓越的控制技术,并开发出一流的产品。希望旋转变压器步进电机在产品差异化方面的进步能够推动我们开拓新的市场。”

 

瑞萨电子高级副总裁、物联网与基础设施事业部通用MCU业务部负责人Roger Wendelken表示:“我们同美蓓亚三美携手将步进电机推广至更广泛的应用中。我们合作为客户提供的解决方案,包含了旋转变压器步进电机开发所需的一切,如电机、RDC、微控制器、软件和工具等,助力用户加快电机开发速度并缩短产品上市时间。”

 

基于旋转变压器步进电机新方案的特性

 

带有旋转变压器的步进电机即使在高温、粉尘或振动的恶劣环境下也可以执行高精度的电机控制。其还具备更高阶的特性,例如能够在不失步的情况下驱动重负载。瑞萨电子和美蓓亚三美已开发出新型旋转变压器步进电机和旋转变压器电机控制解决方案,以超高性价比大大拓宽步进电机的应用范围。例如,在机器人或自动导引车辆(AGV)的开发中,客户甚至可以在仓库或室外等恶劣环境实现高精度运动,同时通过使用较小的电机来降低成本,并进一步推动工业设备小型化。

 

美蓓亚三美旋转变压器步进电机的关键特性:

 

高扭矩特性:由于无需失步控制,扭矩是现有产品的2至3倍

控制特性:能够在宽带和超低速下运行

低功耗:通过响应实际负载的伺服控制,进行电流优化

高精度:通过200,000 P/R的高分辨率实现高位置精度

耐恶劣环境:结构简单、耐热、防尘、抗振

小型化:电机的高扭矩使得小型化应用产品成为可能

 

瑞萨电子RDC与RDC控制驱动程序软件的关键特性:

 

检测方式:VR型电压检测、VR型电流检测

RX MCU支持:瑞萨为RX24T提供RDC驱动软件(并计划支持其它MCU)

抗电磁噪声:由于包含滤波器,可以1/2的信噪比(噪声为信号的两倍)进行位置检测

 

瑞萨电子基于旋转变压器的步进电机控制套件

随附配件:美蓓亚三美42mm方形旋转变压器步进电机、控制板、CPU板(包括RDC和RX24T)

开发支持工具:Renesas Motor Workbench(包括实时波形显示功能)

包含软件:RDC控制驱动软件、步进电机控制软件


本文版权归原作者所有,转载文章仅为传播更多信息之目的,如作者信息标记有误,请第一时间联系我们修改或删除,感谢您的关注!

热门资讯
消息称台积电携手博通、英伟达等共同开发硅光子技术
消息称台积电携手博通、英伟达等大客户共同开发硅光子技术、共同封装光学元件等新产品,制程技术从45nm延伸到7nm,最快明年下半年开始迎来大单,2025年有望迈入放量产出阶段。
英特尔官宣与高塔半导体达成一项新代工协议
近日,英特尔代工服务(Intel Foundry Services,简称IFS)宣布与以色列半导体代工厂高塔半导体(Tower Semiconductor)达成一项新的代工协议。
威世Vishay推出业内先进的标准整流器与TVS二合一解决方案
节省空间型器件采用小型FlatPAK 5 x 6封装,内置3 A,600 V标准整流器和200 W TRANSZORB® TVS
车用芯片赛道火热 台积电、三星积极布局
随着电动汽车和自动驾驶汽车需求的快速增长,市场对先进高性能半导体产品的需求也在激增。这种需求的增长促使半导体行业从传统成熟制程转向更先进的制程,使得车用电子在先进制程方面的竞争变得更加激烈。
意法半导体宣布开始量产PowerGaN器件
意法半导体宣布已开始量产能够简化高效功率转换系统设计的增强模式PowerGaN HEMT(高电子迁移率晶体管)器件。STPOWER™ GaN晶体管提高了墙插电源适配器、充电器、照明系统、工业电源、可再生能源发电、汽车电气化等应用的性能。
英飞凌再扩产 将建造全球最大8英寸SiC晶圆厂
近日,功率半导体大厂英飞凌宣布,计划在未来五年内投资高达50亿欧元,用于在马来西亚建造全球最大的8英寸SiC功率晶圆厂。
英飞凌高压超结MOSFET系列产品新增工业级和车规级器件
在静态开关应用中,电源设计侧重于最大程度地降低导通损耗、优化热性能、实现紧凑轻便的系统设计,同时以低成本实现高质量。为满足新一代解决方案的需求,英飞凌科技股份公司正在扩大其CoolMOS™ S7 系列高压超结(SJ)MOSFET的产品阵容。该系列器件主要适用于开关电源(SMPS)、太阳能系统、电池保护、固态继电器(SSR)、电机启动器和固态断路器以及可编程逻辑控制器(PLC)、照明控制、高压电子保险丝/电子断路器和(混动)电动汽车车载充电器等应用。
AMD计划五年内投资约4亿美元扩张印度市场
近日,AMD宣布将在未来5年内投资约4亿美元在印度扩张。这一重大决策将为印度半导体产业带来积极的影响,同时也是AMD扩大全球业务的战略一步。
ST意法半导体Q2营收增长12.7% 汽车业务连续四个季度增长
意法半导体召开2023年第二季度财报说明会。数据显示,意法半导体第二季度净收入43.3亿美元,同比增长12.7%。毛利率49%,营业利润率26.5%,净利润10亿美元;上半年净收入85.7亿美元,同比增长16.1%,毛利率49.3%,净利润20.5亿美元。意法半导体总裁Jean-Marc Chery表示,第二季度净收入同比增长12.7%,主要得益于汽车和工业业务的持续强劲增长。
美光推出8层堆叠24GB容量第二代HBM3内存 性能提高2.5倍
近日,美光科技宣布已开始送样其首款8-high 24GB HBM3 Gen2内存产品,带宽大于1.2TB/s,引脚速度超过9.2Gb/s,比目前推出的HBM3解决方案提高50%,其每瓦性能比前几代产品提高了2.5倍。
用户信息:
电话号码
中国大陆+86
  • 中国大陆+86
  • 中国台湾+886
  • 中国香港+852
公司名称
邮箱
产品型号
产品数量
备注留言