碳化硅器件是电动汽车(EV)、能源基础设施和大功率EV充电桩中进行功率转换的关键器件。市场对这些产品的需求迅速增长，使得对SiC芯片的需求激增。

近日，安森美宣布，其位于韩国富川的先进碳化硅(SiC)超大型制造工厂的扩建工程已经完工。全负荷生产时，该晶圆厂每年将能生产超过一百万片200 mm SiC晶圆。

安森美表示，在可预见的未来，SiC芯片将供不应求，而富川晶圆厂的扩建解决了市场对增产的迫切需求，使其能够持续为客户提供供应保证。为了支持 SiC 产能的提升，安森美计划在未来三年内雇佣多达 1,000 名当地员工来填补大部分高技术职位；相比目前的约 2,300 名员工，人数将增加 40% 以上。

据悉，安森美已经累计签订不少于6项的长期供货协议，包括在6月份与纬湃科技（Vitesco）的19亿美元为期10年的SiC器件供货协议，与博格华纳（BorgWarner）至少10亿美元的长期供货协议，以及与8家光伏逆变器厂商的19.5亿美元长期供货协议。

为了满足市场需求，该公司于5月份宣布将投资20亿美元，以扩大其现有工厂规模，目标是在2027年占据全球汽车SiC芯片市场40%的市场份额。

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