电磁式电压互感器的工作原理和分类

电磁式电压互感器通常用于电力系统中，用于测量高电压输电线路上的电压。它们还可以用于监测电力系统中的电压波形和幅值，以便及时发现电力系统中的故障和问题。在本文中，我们将详细介绍电磁式电压互感器的工作原理和分类。

2023-11-06

TDK推出首款 SMD 冲击电流限制器

TDK 株式会社开发的J404是首款基于 PTC(正温度系数)技术的表面贴装浪涌电流限制器 (ICL)。该元件(订货号 B59404J0170A062)专为直流电压高达 500 V 和 交流电压高达350 V 的应用场景而设计，可用于限制电动汽车中的直流母线和充电设备等应用中的浪涌电流。

2023-11-04

安森美第三季度汽车业务收入达12亿美元，同比增长33%

安森美公布其2023财年第三季度业绩：第三季度收入为21.808亿美元，公认会计原则（GAAP）和非GAAP毛利率为47.3%，GAAP营业利润率和非GAAP营业利润率分别为31.5%和32.6%，GAAP每股摊薄收益为1.29美元，非GAAP每股摊薄收益为1.39美元。其中，汽车业务收入创纪录，同比增长33%至12亿美元。

2023-11-03

三星电子Q3利润下滑78% 存储市场明年有望复苏

近日，三星电子公布了2023年Q3财报，销售额67.4047万亿韩元，同比减少12.21%；净收入下降40%至5.5万亿韩元；营业利润2.4336万亿韩元，同比减少了77.57%；当期净利润为5.8441万亿韩元，减少37.76%。

2023-11-02

力积电与SBI拟在日本宫城建厂 预计2026年投产

中国台湾半导体代工巨头“力晶积成电子制造”（PSMC）正在与日本SBI控股(SBI Holdings)磋商，计划在宫城县建设半导体工厂。一期工厂将投资约4000亿日元，目标是2026年投产。

2023-11-01

SK海力士反对，西数和铠侠合并计划出现新变数

NAND 闪存芯片制造商铠侠（Kioxia）与西部数据（WD）的合并计划目前迎来新变数，SK海力士周四表示其不同意日本铠侠公司和美国西部数据公司间的合并，日美存储芯片企业间交易面临更多不确定性。

2023-10-31

SK海力士HBM3E芯片供不应求 明年产能已被预订一空

HBM是一种新型内存，通过垂直堆叠DRM芯片以缩短内存和处理器间通信的距离。简单来说，HBM 能提供高带宽，让CPU 与GPU、内存与存储之间的通信采用更高效率数据传输方式。

2023-10-30

三星正在与客户就2nm、1.4nm工艺合作进行洽谈

尽管三星电子在3纳米代工业务上比台积电更早量产，但由于接连失去了高通、NVIDIA等大客户，已经落后于台积电。

2023-10-27

安森美韩国工厂扩建完工 预计2025年产量达100万片

碳化硅器件是电动汽车(EV)、能源基础设施和大功率EV充电桩中进行功率转换的关键器件。市场对这些产品的需求迅速增长，使得对SiC芯片的需求激增。

2023-10-26

东部高科加大SiC、GaN研发

为了支持未来业务增长，韩国晶圆代工厂东部高科正在加大在碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）半导体领域的研发力度。最近的投资旨在提高其8英寸晶圆的制造能力。

2023-10-25

IBM推出"北极“芯片 速度和能效均比同类产品提高20多倍

美国IBM公司最新推出了一款类脑芯片“北极”，其运行由人工智能驱动的图像识别算法的速度是同类商业芯片的22倍，能效是同类芯片的25倍。相关研究论文发表于10月19日出版的《科学》杂志。

2023-10-24

格芯获3500万美元资金补贴 加速硅基氮化镓晶圆量产

近日，格芯宣布，已从美国国防部获得3500万美元资金，用于支持其位于佛蒙特州工厂的硅基氮化镓（GaN on Si）平台，预计这笔资金将加速该公司200mm硅基氮化镓晶圆的量产。

2023-10-23

西数与铠侠洽谈合并 打造全球最大NAND制造商

西部数据目前就NAND闪存生产业务合并进行谈判，他们将打造全球最大的NAND闪存制造商。该计划涉及剥离西部数据的闪存业务部门，即将敲定，但细节仍在审议中。如果一切按预期进行，合并将获得日本主要银行的大量财务支持。

2023-10-17

海关总署公布：8、9月集成电路进出口连续环比增长

近日，海关总署新闻发言人吕大良表示，产业优势巩固，船舶、工程机械、家电等优势出口产业，市场占有率、国际竞争力和品牌影响力等进一步提升。同时，消费电子产业进出口呈现了复苏的势头，集成电路进出口在8、9月连续环比回升，9月手机、电脑出口同比降幅明显收窄。

2023-10-16

三星计划于2025年推出新一代内存HBM4

三星电子日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。据韩媒，三星电子副总裁兼内存业务部DRAM开发主管Sangjun Hwang日前表示，计划开始提供HBM3E样品，正在开发HBM4，目标2025年供货。

2023-10-13

热继电器和热过载继电器区别

热继电器和热过载继电器都是常见的电气保护设备，但它们的工作原理和保护对象有所不同。在本篇文章中，我们将详细介绍热继电器和热过载继电器的区别。

2023-10-11

ASML进驻北海道 为Rapidus提供技术支持

据媒体报道，荷兰半导体制造设备巨头ASML 9月26日表示，正探讨2024年中期在日本北海道千岁市设立基地，支援日本芯片公司Rapidus半导体工厂的生产工作。ASML计划安排为Rapidus提供客户支持的技术人员。

2023-10-10

Nexperia双通道500 mA RET可实现高功率负载开关

基础半导体器件领域厂商Nexperia（安世半导体）近日宣布新推出全新的500 mA 双通道内置电阻晶体管（RET）系列产品，均采用超紧凑型 DFN 2020（D）-6封装。新系列器件适用于可穿戴设备和智能手机中的负载开关，也可用于功率要求更高的数字电路。例如空间受限的计算、通信、工业和汽车应用。值得注意的是，DFN封装的RET采用双重空间节省方案，可加倍提高空间利用率。首先，通过将双极性晶体管(BJT)和电阻巧妙地集成到单一封装中，可节省大量电路板空间。此外，无引脚DFN封装本身的空间效益较高。这种集成和封装有效融合的战略充分凸显了Nexperia力求满足当代电子设备紧凑空间要求的不懈努力。

2023-10-09

消息称台积电获得高通5G芯片订单 采用3nm制程

据市场传闻，手机芯片巨头高通将在苹果和联发科之后成为第三家采用台积电3nm制程生产其下一代5G旗舰芯片的客户。预计该消息将在10月下旬公布。

2023-10-07

钽电容器的种类和封装

钽电容器是一种电子元器件，使用钽金属作为电极材料。它们通常分为有极性和无极性两种类型，并且有多种不同的封装形式。在本文中，我们将详细讨论钽电容器的种类和封装。

2023-10-06